平成25年度 (2013年度)

論文

  1. S. Kudo, Y. Hirose, T. Yamaguchi, K. Kashihara, K. Maekawa, K. Asai, N. Murata, T. Katayama, K. Asayama, N. Hattori, T. Koyama, and K. Nakamae, "Analysis of junction leakage current failure of nickel silicide abnormal growth using advanced transmission electron microscopy," IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, vol.27, no.1, pp.16-21, Feb 2014.
  2. S. Kudo, Y. Hirose, Y. Ogawa, T. Yamaguchi, K. Kashihara, N. Murata, T. Katayama, N. Hattori, T. Koyama, and K. Nakamae, "Study of formation mechanism of nickel silicide discontinuities in high-performance complementary metal-oxide-semiconductor devices," Japanese Journal of Applied Physics, vol.53, no.2, p.021301, 2014.

国際会議(査読付き)

  1. S. Kudo, Y. Hirose, K. Funayama, K. Ohgata, M. Inoue, K. Eguchi, A. Nishida, K. Asayama, N. Hattori, T. Koyama, and K. Nakamae, "Atomic-level study of TDDB mechanism of Hf-doped SiON gate dielectrics using Cs-corrected STEM and atom probe tomography," in Proc. IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Monterey, USA, 5B-2, 14-18 April 2013.
  2. N. Fukuda, S. Sakaguchi, and K. Nakamae, "Dependence of quantum error correction criteria on concentration of qubits in an ion-trap quantum computer," in Proc. SPIE Defense, Security, and Sensing, Baltimore, USA, vol.8749, p.87490L, 2-3 May 2013.
  3. K. Miura, Y. Soga, K. Nakamae, K. Kadota, T. Aritake, and Y. Yamazaki, "Fast and accurate design based binning based on hierarchical clustering with invariant feature vectors for BEOL," in Proc. 24th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC), pp.7-12, 13-16 May 2013.
  4. S. Kudo, Y. Hirose, K. Funayama, M. Inoue, A. Nishida, N. Hattori, T. Koyama, and K. Nakamae, "Study of Hf-doped SiON gate dielectrics by using atom probe tomography," in Proc. JSAP-MRS Joint Symposia, Kyoto, JAPAN, 17p-M7-7, 16-20 Sep. 2013.
  5. Y. Midoh, A. Osaki, and K. Nakamae, "A shape-modification strategy of electron beam direct writing considering circuit performance in LSI interconnects," in Proc. SPIE Advanced Lithography, San Jose, USA, 9049-68, 23-27 Feb. 2014.

著書

解説・その他

国内会議(査読付き)

  1. 蝶野尋紀,三浦克介,中前幸治,"健康モニタリングセンサーチップのための心電図圧縮センシング回路のテストおよび高信頼化II",第33回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS) 会議録,pp.155-160,13-15 Nov. 2013.
  2. 三浦克介,黒川敦,宮崎浩,中前幸治,"信頼性考慮EDAソフトウェア開発のためのMOSFETおよび配線tegチップの開発と測定",第33回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS) 会議録,pp.161-164,13-15 Nov. 2013.
  3. 御堂義博,岡本直幸,中前幸治,"LSI SEM画像からの微細ラインパターン計測のためのNonlinear Total Variationに基づく雑音除去法を用いた統計的エッジ検出",第33回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS) 会議録,pp.165-169,13-15 Nov. 2013.
  4. 日野恭佑,三浦克介,中前幸治,"電磁場波形のデコンボリューション処理による遅延故障絞り込み手法",第33回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS) 会議録,pp.177-182,13-15 Nov. 2013.
  5. 工藤修一,廣瀬幸範,西竜治,御堂義博,服部信美,小山徹,中前幸治,"超高圧電子顕微鏡を用いた半導体デバイス解析",第33回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS) 会議録,pp.225-230,13-15 Nov. 2013.

研究会

  1. 御堂義博,"電子線照射による表面から放出された電子のエネルギースペクトル計算",ナノテスティング学会第2回先端計測技術研究会,26 Aug 2013.
  2. 御堂義博,"トモグラフィー電子顕微鏡用ソフトウェアの活用・普及促進",JASIS2013「先端計測分析技術・機器開発プログラム」開発成果の活用・普及促進,4-6 Sep. 2013.
  3. 御堂義博,"絶縁膜二次電子放出シミュレーションにおける物性パラメータ依存性の検討",ナノテスティング学会第3回先端計測技術研究会,14 Feb. 2014.

学術講演会

  1. 御堂義博,西竜治,メディヌリシラジ,鎌倉快之,井上雄紀,三浦順一郎,鷹岡昭夫,中前幸治,"(招待講演)トモグラフィー電子顕微鏡用ソフトウェアHawkCの紹介",日本顕微鏡学会第69回学術講演会, T1-B21pm06,20-22 May 2013.
  2. 工藤修一,廣瀬幸範,舟山幸太,大形公士,井上真雄,中嶋伸恵,国宗依信,西田彰男,朝山匡一郎,服部信美,小山徹,中前幸治,"球面収差補正STEMおよびアトムプローブを用いたHf添加ゲート絶縁膜の構造解析",日本顕微鏡学会第69 回学術講演会, M6-D22am08,20-22 May 2013.
  3. 御堂義博,中前幸治,"電子線トモグラフィー傾斜シリーズ画像の非線形Total Variationに基づく雑音除去の検討",第61回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集, 18a-F5-6,17-20 March 2014.